Библиография

Список научных трудов в хронологическом порядке

1. Е. Ф. Гросс, Л. Г. Суслина, В. Г. Мокеров, Узколинейчатая люминесценция гексагональных кристаллов ZnS, ФТТ, 1965, т. 7, стр. 291-293
2. А. В. Раков, В. Г. Мокеров, Г. И. Вадов, Исследование температурной зависимости контуров экситонных полос поликристаллических пленок сульфида кадмия, Оптика и спектроскопия, 1967, т. 22, №4, стр. 590-594.
3. В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1968, т. 10, стр.1556-1557.
4. В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Оптические свойства и зонная структура монокристаллов двуокиси и пятиокиси ванадия, ФТТ, 1969, т.11, стр.197-200.
5. В. Г. Мокеров, Оптические свойства и зонная структура монокристаллов VO2, V2O3 и V2O5, Тезисы докладов симпозиума по полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны, г. Львов, 1969, стр. 29-30.
6. В. Г. Мокеров, С. Т. Корецкая, Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник- полуметалл, Республиканская конференция молодых ученых по вопросам микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов, Тбилиси, 1969, стр. 16-17.
7. Б. С. Борисов, С. Т. Корецкая, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, С. Г. Соловьев, Электрические и электрооптические свойства VO2 при фазовом переходе полупроводник-полуметалл, ФТТ, 1970, т.12, №8, стр. 2209-2216.
8. К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, С. Г. Соловьев, Переход металл-изолятор в V2O3 в сильном электрическом поле, Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, №1, стр. 18-22.
9. К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Электронная структура и фазовые переходы в низких окислах ванадия в электрическом поле, ЖЭТФ, 1971, т. 60, №6, стр. 2175-2187.
10. К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Оптические и электрооптические свойства двуокиси ванадия в сильном электрическом поле, ФТТ, 1971, т.13, №2, стр. 421-423.
11. К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Оптические и электрооптические свойства двуокиси ванадия, VII Уральская конференция по спектроскопии, 1971, Свердловск, стр. 147-149.
12. В. Г. Мокеров, Б. Л. Сигалов, Электрооптический эффект в монокристаллах пятиокиси ванадия ниже края собственного поглощения, ФТТ, 1972, т.14, №11, стр. 3405-3412.
13. К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Фазовыепереходы полупроводник-металл-изолятор в VO2 и V2O3 под влиянием электрического поля, I-ая Всесоюзная конференция по фазовым переходам металл-диэлектрик, г. Москва, 1972, стр.28-29.
14. К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Влияние электрического поля на электронную структуру в монокристаллах пятиокисиванадия, ФТТ, 1973, т. 15, №2, стр. 361.
15. В. Г. Мокеров, Фотоэлектрические свойства монокристаллов пятиокиси ванадия, ФТТ, 1973, т.15, №8, стр. 2393-2396.
16. А. С. Игнатьев, И. В. Рябинин, В. Г. Мокеров, Термодинамические аспекты осаждения окислов ванадия, Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники, сер. физ.-мат., вып. 4, стр. 219-223, изд-во МИЭТ, Москва, 1973.
17. В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Влияние отклонений от стехиометрии на электрические, оптические и электрооптические свойства монокристаллов V2O5, ФТТ, 1973, т. 16, №5, стр. 266-268.
18. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Получение пленок двуокиси ванадия и их свойства, Тезисы докладов научно-технической конференции по проблемам микроэлектроники, МИЭТ, Москва, 1974.
19. К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Аномалия температурной зависимости оптических свойств двуокиси ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл, ФТТ, 1974, т.16, №8, стр. 2361-2364
20. В. Г. Мокеров, И. С. Лазукова, А. В. Губанов, Электронные оптические переходы в монокристаллах V2O5, ФТТ, 1975, т. 17, №12.
21. А. Р. Бегишев, В. Г. Мокеров, Термомодуляция оптических свойств двуокиси ванадия ниже температуры фазового перехода полупроводник-металл, ФТТ, 1975, т.17, №12, стр. 3647-3649.
22. В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. В. Раков, И. П. Рябинин, Гистерезис температурной зависимости коэффициента пропускания света в тонких слоях VO2 при фазовом переходе полупроводник-металл, Микроэлектроника, 1975, т.4, стр. 370-372.
23. К. А. Валиев, И. М. Закотеева, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, А. В. Раков, Голографическая память на пленках двуокиси ванадия, ДАН СССР, 1975, т. 222, №3, стр. 587-589.
24. К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, А. В. Раков, Голографическая память на пленках двуокиси ванадия, Тезисы докладов II-й Всесоюзной конференции по голографии, Киев, 1975, т 2.
25. В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев, И. В, Рябинин, В. В. Сарайкин, Получение и свойства пленок двуокиси ванадия как среды для регистрации голограмм, Тезисы докладов II-й Всесоюзной конференции по голографии, Киев, 1975, т.2, стр. 24-26.
26. В. Г. Мокеров, Исследование процессов кинетики роста пленок двуокиси ванадия, Тезисы докладов Всесоюзного совещания по химии твердого тела, Свердловск, 1975, ч. 1, стр. 61-62.
27. В. Г. Мокеров, Структурные исследования пленок двуокиси ванадия в области фазового перехода полупроводник-металл, Тезисы докладов Всесоюзного совещания по химии твердого тела, Свердловск, 1975, ч. 1, стр.161.
28. К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, А. В. Раков, И. М. Закотеева, Динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия, Письма в ЖТФ, 1976, т. 2, №24, стр. 1119-1123.
29. В. Г. Мокеров, В. Л. Макаров, В. Б. Тулвинский, А. Р. Бегишев, Оптические свойства пятиокиси ванадия в интервале энергий фотонов от 2 до 14 эВ, Оптика и спектроскопия, 1976, т. 40, №1, стр. 104-110.
30. В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1976, т.18, №7, стр. 1801-1804.
31. К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, А. В. Раков, И. М. Закотеева, Динамические голограммы в пленках двуокиси ванадия, Тезисы докладов IV-й Всесоюзной конференции по физическим основам передачи информации лазерным излучением, Киев, 1976, стр.8.
32. К. А, Валиев, В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, А. Г. Петрова, Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия, ФТТ, 1977, т.19, №9, стр. 1537-1544.
33. В. И. Богачев, А. А. Жданов, В. Г. Мокеров, Запись и считывание голограмм на различных длинах волн в схеме голографического ЗУ, Автометрия, 1977, №5, стр. 57 — 62.
34. В. Г. Мокеров, Динамика оптически индуцированного фазового перехода полупроводник-металл в двуокиси ванадия, II-Всесоюзная конференция по фазовым переходам металл-диэлектрик, г. Львов, 1977, стр. 45-47.
35. В. Г. Мокеров, Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия, II-Всесоюзная конференция по фазовым переходам металл-диэлектрик, г. Львов, 1977, стр. 42-44.
36. А. Р. Бегишев, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Исследование электронной структуры окислов ванадия в диэлектрической и металлической фазах оптическими и термооптическими модуляционными методами, II-Всесоюзная конференция по фазовым переходам металл-диэлектрик, г. Львов, 1977, стр. 38-41.
37. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, И. С. Скрипко, Приборы с S-образной вольтамперной характеристикой на основе пленок двуокиси ванадия, Тезисы докладов 2-ой республиканской конференции молодых ученых. Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов, Тбилиси, 1977, стр.111.
38. V. G. Mokerov, Electronic Absorption Spectra of V2O5, Int. Quantum. Chem., 1977, v. 12, pp. 915-923.
39. А. Р. Бегишев, Г. Б. Галиев, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, В. Г. Пошин, Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на фазовый переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия, ФТТ, 1978, т. 20, №6, стр. 1643-1650.
40. К. И. Земсков, М. А. Казарян, В. Г. Мокеров, Г. Г. Петраш, А. Г. Петрова, Когерентные свойства лазера на парах меди и динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия, Квантовая электроника, 1978, т. 5, №2, стр. 425-428.
41. А. Р. Бегишев, В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев, А. В. Самсонов, Фазовые переходы в монокристаллах двуокиси ванадия, подвергнутых ионной бомбардировке, 2-ое Всесоюзное совещание по химии твердого тела, Свердловск, 1978, стр. 64.
42. В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев, Получение тонких слоев окислов ванадия методом реактивного катодного распыления, 2-е Всесоюзное совещание по химии твердого тела, Тезисы докладов, ч. 2, Свердловск, 1978, стр. 89.
43. А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Эффект «раздвоения» фазового перехода полупроводник-металл в монокристаллах двуокиси ванадия под влиянием ионной бомбардировки, Письма в ЖТФ, 1979, т.5, №1, стр. 42-45.
44. А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, Модуляция светового излучения с использованием тонких слоев двуокиси ванадия, ЖТФ, 1979, т. 159, стр.2276-2279.
45. В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев, Влияние отклонений от стехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия, ФТТ, 1979, т.21, №5, стр. 1482-1487.
46. В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев, Исследование фазового перехода в неупорядоченной двуокиси ванадия, III-е Всесоюзное совещание по химии, Качканар, 1979, стр.8.
47. В. Г. Мокеров, Применение двуокиси ванадия для реверсивной записи и хранения голографической информации, III-я Всесоюзная конференция по применению ванадиевых соединений, г. Свердловск, 1979, стр.9.
48. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Г. Б. Галиев, Фазовый переход в тонких монокристаллах V4O7 и V5O9, Тезисы докладов 1-го Всесоюзного совещания по химии, технологии и применению ванадиевых соединений, ч. III, Свердловск, 1979, стр.11.
49. В. Я. Бугров, А. С. Игнатьев, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Реверсивный накопитель информации на основе пленок двуокиси ванадия, Автометрия, 1980, №6, стр. 96-100.
50. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Г. Б. Галиев, Оптические свойства V2O3 в области собственного поглощения, ФТТ, 1980, т.22, №4, стр. 1221-1223.
51. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Оптические свойства V2O3 в интервале энергий фотонов 0,08-2,7 эВ, ФТТ, 1980, т. 22, №3.
52. В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев, Электронная структура и фазовый переход металл-изолятор в структурно-разупорядоченной двуокиси ванадия, ФТТ, 1980, т. 22, №4, стр. 92-99.
53. В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, Влияние температуры на оптические свойства и электронную структуру двуокиси ванадия, ФТТ, 1980, т. 22, №4, стр. 1079.
54. В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. Г. Петрова, А. В. Потапов, Измерение толщины сверхтонких слоев дифракционным методом, Электронная техника, сер. материалы, 1981, вып. 2, стр. 77.
55. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, В. В. Сарайкин, Н. М. Манжа, А. С. Игнатьев, Влияние нарушения стехиометрии на стабильность пленок нитрида кремния, Письма в ЖТФ, 1981, т. 7, вып. 20, стр. 1248-1251.
56. Л. П. Агейкина, В. Н. Гаврилов, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, А. А. Частов, Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник-металл в двуокиси ванадия, Квантовая электроника, 1981, т. 8, №6, стр. 1363-1366.
57. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Оптические свойства и электронная структура V3O5, V4O7 и V5O9, Физика металлов и металловедение, 1981, т. 52, №2.
58. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Оптические свойства моноокиси ванадия, Физика металлов и металловедение, 1981, т.52, №4.
59. В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев, Локализация 3d–электронов в твердых растворах VO2+Ar, ФТТ, 1981, т. 23, №4.
60. В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, Влияние структурного разупорядочения на фазовый переход металл-изолятор в V4O7 и V2O3, Физика металлов и металловедение, 1981, т. 52, №3.
61. А. П. Голубев, А. С. Игнатьев, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Электронная оже-спектроскопия для контроля технологических процессов в микроэлектронике, Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции “Метрологические проблемы микроэлектроники”, Москва, 1981, стр. 36-37.
62. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Метрологические проблемы профильного оже-анализа структуры алюминий-кремний, Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции “Метрологические проблемы микроэлектроники”, Москва, 1981, стр. 37-38.
63. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Точность измерения протяженности переходной области между двумя слоями полупроводниковых структур ИС, Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции “Метрологические проблемы микроэлектроники”, Москва, 1981, стр. 76-77.
64. В. Г. Мокеров, К. А. Валиев, Волков, А. П. Голубев, Потапов, А. В. Раков, Проблемы метрологии линейных размеров в микроэлектронике, Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции “Метрологические проблемы микроэлектроники”, Москва, 1981, стр. 53.
65. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, А. В. Рыбин, Локальная оже-спектроскопия химического состава микродефектов термического окисла кремния, Тезисы докладов III Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Москва, 1981, стр. 116-117.
66. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Н. М. Манжа, В. В. Сарайкин, Чистяков, Влияние стехиометрии на некоторые свойства нитридных пленок, Тезисы докладов IV отраслевой научно-технической конференции «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем», Тбилиси, 1981, стр. 205
67. В. Г. Мокеров, Ю. В. Копаев, О механизме фазовых переходов металл-диэлектрик в окислах ванадия и структурные превращения в системе V-O при изменении стехиометрии от VO2 до V2O3, Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок», Петрозаводск, 1982, стр. 11-12.
68. В. Г. Мокеров, Ю. В. Копаев, Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана, ДАН, 1982, т. 264, №6, стр. 1370-1374.
69. А. Р. Бегишев, Г. Б. Галиев, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, Определение концентрации заряженных примесей в кремнии методом электроотражения, ФТП, 1982 r., т. 16, 3, стр. 426-431.
70. Г. Б. Галиев, В.В. Капаев, В. Г. Мокеров, Изменение распределения концентрации заряженной примеси по глубине в тонких слоях кремния методом электроотражения, ЖТФ, 1982 r., т. 52, 11, стр. 2281-2282.
71. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, А. В. Рыбин, Н. М. Манжа, Электронная Оже-спектроскопия системы алюминий-кремний, Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, вып. 7, стр. 400-404.
72. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, П. А. Чернов, Исследование границ раздела тонкопленочных структур методами резерфордовского обратного рассеяния и электронной Оже-спектроскопии, Тезисы докладов Всесоюзного совещания по физике полупроводников, Баку, 1982, стр. 202-203.
73. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Исследование взаимодействия окисленного хрома с алюминием в многослойной тонкопленочной структуре, Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика окисных пленок”, Петрозаводск, 1982, стр. 57-58.
74. Г. Б. Галиев, В. В. Капаев, В.Г. Мокеров, Определение распределения концентраций заряженной примеси и дефектности в ионнолегированных слоях кремния методом электроотражения, Поверхность, 1983 r., № 3, стр. 74-81.
75. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Электронная оже-спектроскопия поверхности раздела нихром-алюминий, Поверхность, 1983, т. 2, стр. 103-106.
76. В. Г. Мокеров, С.А. Хашимов, А. Р. Бегишев, И.Л. Горелик, Комбинационного рассеяние света в слоях кремния, имплантированных молекулярными ионами, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1984, №174, стр. 11
77. В. Н. Панасюк, В. Г. Мокеров, Е. Н. Овчаренко, В. П. Амелин, С. М. Кузин, Методология операционного контроля и анализа технологии интегральных схем по электрическим тестовым компонентам, Микроэлектроника, 1984, т. 13, вып. 6, стр. 539-545.
78. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, В. А. Рыбин. В. В. Сарайкин, Электронная Оже-спектрометрия тонких пленок силицидов платины на кремнии, ЖТФ, 1984, т. 54, вып. 6, стр. 1212-1214.
79. Г. Б. Галиев, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, Определение концентрации заряженной примеси в GaAs методом спектроскопии электроотражения, Поверхность, 1984 r., т. 7, стр. 92-95.
80. Г. Б. Галиев, В. В. Капаев, А. Р. Бегишев, В. Г. Мокеров, Измерение распределения концентрации заряженной примеси в локальных областях методом электроотражения, Микроэлектроника, 1984 r., т. 13, вып. 2, стр. 165-167.
81. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, В. А. Рыбин, Н. М. Манжа, Исследование границ раздела тонкопленочных структур методами электронной Оже-спектроскопии и вторично-ионной массспектрометрии, Электронная промышленность, 1984, вып. 2 (130), стр. 23-27.
82. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Взаимодействие электронного зонда с окислами на InP в исследованиях методом электронной Оже-спектроскопии, Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел “РЭМ-84”, Москва, 1984, стр. 123.
83. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Попова, Сочетание профильной электронной Оже-спектроскопии и Оже-микроскопии в исследовании взаимодействия алюминия и кремния, Тезисы докладов IV-го Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическом методам исследования твердых тел “РЭМ-84”, Москва, 1984, стр. 124.
84. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, В. А. Рыбин, Исследование процессов термообработки и пережигания нихромовых перемычек методом электронной Оже-спектроскопии, Тезисы докладов IV-го Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическом методам исследования твердых тел “РЭМ-84”, Москва, 1984, стр. 125.
85. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Электронная оже-спектроскопия в исследовании границ раздела тонкопленочных структур интегральных схем, Тезисы докладов IV Всесоюзной школы по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники, Новосибирск, 1984, стр. 51.
86. В. Н. Панасюк, В. Г. Мокеров, С. М. Кузин, Анализ формирования пространственно распределенной физической структуры интегральных схем и принципы ее оптимизации, Микроэлектроника, 1985, т. 14, вып. 3, стр. 218-221.
87. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Применение спектроскопии электроотражения света в исследовании параметров полупроводниковых структур, Электронная промышленность, 1985 r., вып. 3 (141), стр. 48-55.
88. А. Н. Вороновский, И. У. Ицкевич, Л. М. Каширская, В. Д. Кулаковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Долгоживущая фотопроводимость в селективно легированных структурах n-AlxGa1-xAs/GaAs в условиях гидростатического сжатия, Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, вып. 10, стр. 405-408.
89. Б. В. Журкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, С. Р. Октябрьский, С. С. Шмелев, Нунупавров, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1985, №243, стр. 12.
90. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Н. М. Манжа, Взаимодействие компонентов в структуре алюминий – поликристаллический кремний, Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 4, стр. 344-347.
91. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Электронная оже-спектроскопия в технологии изготовления интегральных схем, Электронная промышленность, 1985, вып. 3, стр. 74-80.
92. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Методы анализа поверхности в контроле технологических процессов микроэлектроники, Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники”, Минск, 1985, ч. 1, стр. 111.
93. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Исследование структур SiO2-Si методом электронной Оже-спектроскопии, Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники”, Минск, 1985, ч. 1, стр. 111.
94. В. И. Нижанковский, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Ю. В. Шалдин, Исследования влияния магнитного поля на химический потенциал электронов в висмуте и гетеропереходе GaAs/AlxGa1-xAs, ЖЭТФ, 1986, т. 90, вып. 4, стр. 1326-1334.
95. Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, С. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования структур GaAs/Ga1-xAlxAs, ЖТФ, 1986, т. 56, вып. 6, стр. 1198-1201.
96. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Ю. И. Щетинин, Сочетание электронной Оже-спектроскопии и оже-микроскопии в исследовании эффекта расслоения в тонких нихномовых пленках, Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 3, стр. 240-243.
97. В. И. Смирнов, В. Г. Мокеров, Инжекционные токи в МДП-системах на двухслойном полупроводнике при задании неравновесного поверхностного обеднения, Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып.2, стр. 126-128.
98. В. Г. Мокеров, С. Н. Никифорова-Денисова, Е. Н. Овчаренко, В. П. Панасюк, В. И. Смирнов, Ю. А. Тимошников, И. П. Чернов, Влияние малых доз γ-облучения на структуру микродефектов и электрофизические свойства кремниевых монокристаллов и эпитаксиальных слоев, Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 1, стр. 36-41.
99. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Исследование взаимодействия компонентов многослойной металлизации методом электронной Оже-спектроскопии, Тезисы Всесоюзной конференции по физическим методам исследования поверхности и диагностики материалов вычислительной техники, Кишинев, 1986, стр. 84.
100. А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, Исследование кинетики накопления сверхбольших доз азота в слоях кремния, Тезисы Всесоюзной конференции по физическим методам исследования поверхности и диагностики материалов вычислительной техники, Кишинев, 1986, стр. 84.
101. В. Э. Каминский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Р. Назарьян, Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, Дрейф носителей тока в гетероструктурах с двумерным электронным газом, Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Минск, 1986, стр. 40-41.
102. П. Д. Алтухов, А. А. Бакун, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. А. Рогачев, Г. П. Рубцов, Двумерный электронно-дырочный газ в области гетероперехода в структурах GaAs/GaAlAs с модулированным легированием, Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Минск, 1986, стр. 106-107.
103. Б. В. Журкин, С. Р. Октябрьский, А. М. Цховребов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Квантовый эффект Холла в гетеропереходах GaAs/GaAlAs, Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Минск, 1986, стр. 184-185.
104. П. Д. Алтухов, А. А. Бакун, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. А. Рогачев, Г. П. Рубцов, Двумерная электронно-дырочная система в области гетероперехода в структурах GaAs-GaAlAs с модулированным легированием, ФТП, 1987, т. 21, вып. 3, стр. 449-455.
105. С. М. Кузин, В. Н. Панасюк, В. Г. Мокеров, Метод оценки оборудования и процессов создания БИС с помощью исследования тестовых структур, Электронная промышленность, 1987, вып. 2, стр. 19-22.
106. С. А. Говорков, М. И. Резников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. П. Сеничкин, В. И. Тальянский, О затухании магнитоплазменных колебаний в двумерном электронном канале в режиме квантового эффекта Холла, Письма в ЖЭТФ, 1987, т. 45, вып. 5, стр. 252-255.
107. Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, И. И. Засавицкий, К. В. Старостин, В. Г . Мокеров, Б. К. Медведев, Ю. В. Хабаров, Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах с двумерным электронным газом, ФТП, 1987, т. 21, вып. 8, стр. 1522-1524.
108. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, В. М. Пудалов, Д. А. Ринберг, С. Г. Семенчинский, Ю. В. Слепнев, Переходы между бездиссипативным и диссипативным состояниями на гетероструктурах GaAs-AlxGa1-xAs в квантовом эффекте Холла, Письма в ЖЭТФ, 1988, т. 47, вып. 1, стр. 59-61.
109. Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, Е. А. Лукьянов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, С. М. Чудинов, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs-AlxGa1-xAs с высокой подвижностью, Поверхность, 1988, вып. 5, стр. 79-84.
110. В. И. Нижанковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Химический потенциал и g-фактор двумерного электронного газа в сильном магнитном поле, Письма в ЖЭТФ, 1988, т. 47, вып. 7, стр. 343-345.
111. С. А. Говорков, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, А. П. Сеничкин, В. И. Тальянский, Краевые магнитоплазменные колебания высших типов в двумерном электронном канале, ЖЭТФ, 1988, т. 34, вып. 2, стр. 226-231.
112. С. А. Говорков, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Е, Батов, В. И. Тальянский, Исследование краевых магнитоплазменных колебаний в двумерном электронном канале гетероструктур, Труды XI-ой Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Кишинев, 1988, т. 1, стр. 176.
113. Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, Ю. Е. Лозовик, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Д. Ю. Родичев, Ю. В. Хабаров, С. М. Чудинов, Дрейфовый резонанс в квантовом эффекте Холла на переменном токе в гетероструктурах GaAs-AlxGa1-xAs, Физика низких температур, 1988, т. 14, вып. 9, стр. 998-1000.
114. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Исследование параметров структур GaAs-AlxGa1-xAs как основы Ома на квантовом эффекте Холла, Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Кишинев, 1988, т. 2, стр. 126-127.
115. С. В. Кравченко, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, В. М. Пудалов, Д. А. Ринберг, С. Г. Семенчинский, Исследование фазовой диаграммы магнитопроводимости двумерных электронных систем, Письма в ЖЭТФ, 1988, т. 48, вып. 6, стр. 351-353.
116. В. Г. Мокеров, В. Э. Каминский, Б. К. Медведев, В. И. Смирнов, Элементная база интегральных схем на гетероструктурах AlGaAs/GaAs, Тезисы докладов Всесоюзной конференции, «Современные проблемы информатики, вычислительной техники», Москва, 1988, стр.35.
117. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Ю. В. Слепнев, Гетероструктуры на основе А3В5 для интегральных схем, Тезисы докладов 7-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Москва, ноябрь 1988.
118. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Создание методом молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур для дискретных приборов, Тезисы докладов 7-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Москва, ноябрь 1988.
119. Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, Ю. Е. Лозовик, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Д. Ю. Родичев, Ю. В. Хабаров, С. М. Чудинов, Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs-AlxGa1-xAs на переменном токе, ФТТ, 1989, т. 31, вып. 3, стр. 73-78.
120. И. Е, Батов, С. А. Говорков, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, В. И. Тальянский, О распределении поля в краевых магнитоплазменных колебаниях в 2D-канале гетероструктуры GaAs/AlGaAs, ЖТФ, 1990, т. 59, вып. 8, стр. 136 -138.
121. С. М. Кузин, В. Н. Панасюк, В. Г. Мокеров, В. В. Исаев, Электрический тестовый контроль на этапах создания ИС, М. ЦНИИ “Электроника”, обзоры по электронной технике: Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, т.8, стр. 32, 1989.
122. В. И. Поляков, П. И. Перов, М. Г. Ермаков, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Проявление квантования носителей в фотоэлектрических характеристиках p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами, Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники, Ленинград, 1989, стр. 89.
123. С. П. Анохина, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Тезисы докладов I Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники, Ленинград, 1989, стр. 79.
124. Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной гетероструктурой на полуизолирующей подложке, Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып. 20, стр. 76-78.
125. В. И. Поляков, П. И. Перов, М. Г. Ермаков, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs, ФТП, 1990, т. 24, вып. 11, стр. 2017-2023.
126. Н. А. Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордвец, Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения, ФТП, 1990, т. 24, вып. 4, стр. 635-637.
127. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, В. П. Гаранин, В. Б. Копылов, Новая эпитаксиальная структура для арсенид галлиевых приборов на подложках кремния, Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып. 11.
128. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Ю. В. Слепнев, Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур GaAs/AlGaAs, Тезисы докладов VII Международной конференции по микроэлектронике, Минск, октябрь 1990.
129. Ю. В. Гуляев, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, С. С. Шмелев, Сверхскоростные интегральные схемы на полевых транзисторах с δ-легированием, Тезисы докладов VII Международной конференции по микроэлектронике, Минск, октябрь 1990, т. 2, стр. 261-265.
130. S. P. Anokhina, I. N. Kotel’nikov, B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, Abstracts V Int. Conf. Superlatt. Microstruct., Berlin, 1990, Mo-Po-5.
131. С. П. Анохина, В. А. Кокин, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. А. Ржанов, Ю. В. Слепнев, δ-легированные слои в приповерхностной области GaAs, Тезисы докладов XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Киев, 1990, ч. 1, стр. 180.
132. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Ю. В. Слепнев, Многослойные δ-легированные структуры на арсениде галлия для полевых транзисторов и интегральных схем, Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Калуга, 1990.
133. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, В. П. Гаранин, В. Б. Копылов, Ю. В. Слепнев, Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия на кремний в режиме многоступенчатого роста, Тезисы докладов, т.1, V-ая Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Калуга, 8-11 октября 1990.
134. В. Г. Мокеров, Е. Н. Овчаренко, А. С. Валеев, В. Н. Шишко, Электронная микроскопия случайных дефектов в технологии БИС, Микроэлектроника, 1991, т. 20, в. 3, стр. 289-296.
135. Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Электронная подвижность слоев арсенида галлия, получаемых молекулярно-лучевой эпитаксией в атмосфере водорода, Письма в ЖТФ, 1991, т.17, в.17, стр.25-28.
136. Yu. V. Gulyaev, I. N. Kotelnikov, B. K. Medvedev, Yu. A. Rzhanov, V.G.Mokerov, Moleсular Beam Epitaxy of δ-doped GaAs and GaAs-AlGaAs-heterostructures for Electronic Devices an Integrated Circuits, Abstracts of The 18-th USSR-Japan Electronics Symposium on “General Electronics”, 1991, Tokyo, Japan, Tokai University General Research Organization, December 12-13, pp.221-236.
137. Г. Б. Галиев, А. С. Игнатьев, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, А. Пфлигер, Исследование процессов формирования δ-легированных слоев кремния в структурах GaAs/AlxGa1-xAs методом вторичноионной масс-спектрометрии, Микроэлектроника, 1992, т. 21, вып. 4, стр. 3-10.
138. И. М. Гродненский, Ю. М. Дикаев, А. С. Руденко, К. В. Старостин, М. Л. Яссен, Б. К. Медведев, В.Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром, ФТП, 1992, т. 26, в. 9, стр. 1521-1528.
139. И. Н. Котельников, В. А. Кокин, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. А. Ржанов, С. П. Анохина, Характеристика и особенности проводимости приповерхностных δ-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов, ФТП, 1992, т. 26, вып. 8, стр. 1462-1470.
140. А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин, Влияние спейсер-слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельных диодов, ФТП, 1992, т. 26, №10, стр.1795-1800.
141. В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования, ДАН, 1993, т. 332, №5, стр. 575-577.
142. Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. В. Песков, Кинетика образования объемных вакансий в процессе роста арсенида галлия в молекулярно-лучевой эпитаксии, ДАН, 1993, т. 329, N3, стр.302-305.
143. А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. В. Маслов, В. Г. Мокеров, Э. М. Пашаев, А. Б. Вавилов, А. С. Игнатьев, Г. З. Немцев, А. А. Зайцев, Исследование верхних слоев сверхрешеток методом стоячих рентгеновских волн, Кристаллография, 1993, т. 38, N 3, стр. 58-62.
144. А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, Э. М. Пашаев, В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев, Г. З. Немцев, Рентгено-структурные методы в исследовании структуры сверхрешеток, Труды ФТИ АН, 1993, т. 63.
145. B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, S. S. Chmelev, D. V. Posvyanski, A. P. Kamenev, Nanoelectronic devices and Integrated circuits based on effect of resonant tunneling, Abstracts to the international symposium “Nanostructures: physics and technology”, St. Petersburg, Russia, June 1993, pp. 65-68.
146. Yu. V. Fedorov, B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, I. N. Kotel’nikov, High Resolution SIMS-Profiling of δ-doped Layers and Epitaxial Heterojunctions, Abstracts to The Ninth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS-IX),Yokonama, Japan, 1993, Nov. 7-12, p.19.
147. B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, N. V. Peskov, Experimental Research and Monte-Karlo Simulation of Kinetic Feature on Growth Surface During Molecular Beam Epitaxy of GaAs, Abstracts to the Second International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1993, Joensuu, Finland, June 16-18, p.73.
148. I. N. Kotel’nikov, V. A. Kokin, B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, Yu. A. Rzhanov, Additional opportunities for control two-dimensional channel conductance in delta-layer structures, Proceedings of 1993 International Semiconductor Research Symposium. V.1, Charlottesville, Virginia. USA, pp.217-220, December 1-3, 1993.
149. B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, MBE-growth of GaAs Single and Multiple δ-layer Structures for electronic devices and integrated circuits, Abstracts to Seventh European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Palazzo delle Feste-Bardonecchia, Italy, March 7-10 1993, p.D7.
150. P. M. Имамов, А. А. Ломов, В. П. Сироченко, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, Ю. В. Федоров, Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, ФТП, 1994, т. 28, вып. 8, стр. 1346-1353.
151. А. С. Игнатьев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур InGaAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в. 1, стр.125-132.
152. М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Температурные исследования фотолюминесценции структур InхGa1-хAs/GaAs с квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр.1211-1218.
153. В. И. Борисов, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. С. Рогашков, К. И. Спиридонов, СВЧ-вольтамперные характеристики и высокочастотные неустойчивости тока в селективно-легированных гетероструктурах AlGaAs/GaAs, Радиотехника и электроника, 1994, №2, стр.321-327.
154. А. Л. Мусатов, В. Г. Мокеров, А. А. Пахомов, В. Ю. Санкович, Спектры поверхностной фотоэдс n-GaAs (100), ФТП, 1994, т. 28, в.10, стр.1857-1862.
155. В. И. Борисов, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, К. И. Спиридонов, Низковольтные неустойчивости тока в длинных образцах AlGaAs/GaAs под действием импульсных и СВЧ полей, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр. 1199-1204.
156. В. И. Барчукова, В. Н. Губанков, Е. Н. Енюшкина, С. А. Ковтонюк, М. П. Лисицкий, В. Г. Мокеров, А. В. Никифоров, Изготовление контактов n+GaAs-Nd и их электрофизические свойства при низких температурах, Письма в ЖТФ, 1995, т. 21, в.6, стр.12-18.
157. С. Г. Дмитриев, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, U-центры в селективно-легированных гетероструктурах, ФТП, 1995, т. 29, №3, стр.500-506.
158. В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, Обобщенная модель кинетики роста на вицинальной поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии, ДАН, 1995, т. 344, №1, стр. 40-42.
159. В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста, ДАН, 1996, т. 347, №4, стр. 469-471.
160. Г. Б. Галиев, Э. А. Ильичев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, В. Б. Чеглаков, Анализ низкотемпературных слоев GaAs методом релаксационной оптоэлектронной спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей, Электронная промышленность, т. 2, стр. 12-15 (1996)
161. Ю. В. Гуляев, В. Г. Мокеров, А. В. Гук, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ДАН, 1996, т. 348, N1, стр.42-44.
162. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ДАН, 1996, т. 348, N5, стр.608-610.
163. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. Б. Чеглаков, Использование дифракции рентгеновского отражения для исследования слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, Материалы Всероссийского симпозиума по эмиссионной электронике: термоэлектронная, вторично-ионная, фотоэлектронная эмиссии и спектроскопия поверхности твердого тела, Рязань, 1996, 17-19 сентября, стр. 61-62.
164. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ДАН, 1996, т. 348, N5, стр.608-610.
165. O. A. Ryabushkin, V. A. Sablikov, A. O. Volkov. V. G. Mokerov, New effects due to local illumination of semiconductor heterostructures with two dimensional electron gas, Proceedings of the 23th Intern. Symp. “Compound Semiconductors”, St. Petersburg, Russia, 1996, pp.137-140.
166. V. A. Kulbachinskii, V. G. Mokerov, R. A. Lumin, V. G. Kytin, A. S. Bugaev, A. P. Senichkin, Sub-band electron mobility in high carrier density GaAs/AlGaAs heterostructures with high carrier density, Proceedings of the 23th Intern. Symp. “Compound Semiconductors”, St. Petersburg, Russia, 1996, pp.957-960.
167. D. V. Amelin, A. V. Hook, V. G. Mokerov, V. E. Kaminskii, Yu. V. Fedorov, A. S. Shubin, V. Kumar, Influence of the parameters of the donor layer of the characteristics of the N-AlGaAs/InGaAs/GaAs — P-HEMT, Proceedings of the 23th Intern. Symp. “Compound Semiconductors”, St. Petersburg, Russia, 1996, pp.479-482.
168. G. B. Galiev, V. G. Mokerov, V. D. Cheglakov, T. B. Demkina, A. M. Pashaev, Structural properties of GaAs-layers grown by molecular beam epitaxy at low temperatures, Proceedings of the 23th Intern. Symp. “Compound Semiconductors”, St. Petersburg, Russia, 1996, pp.267-270.
169. V. G. Mokerov, V. A. Sablikov, O. A. Ryabushkin, S. V. Polyakov, Lateral transfer of light-induced charge carriers and electric field in locally illuminated modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures, Proceedings of the 23th Intern. Symp. “Compound Semiconductors”, St. Petersburg, Russia, 1996, pp.941-944.
170. Yu. V. Gulyaev, A. V. Huck, V. G. Mokerov, V. E. Kamincky, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, Optical properties of 2DEG in modulation doped N-AlGaAs/GaAs heterostructures, Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St.-Petersburg, 24-28 June 1996, pp.76-79.
171. V. G. Mokerov, V. A. Sablikov, O. A. Ryabushkin, S. V. Polyakov, Lateral Transfer of Light Induced Charge Carriers in Heterostructures with 2D Electron Gas, Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St.- Petersburg, 24-28 June 1996, pp.26-29.
172. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Kinetic model for molecular beam epitaxial growth on a singular surface, Abstracts to 10-th International Conference on Thin Films, 1996, Salamanca, Spain, September 23-27, p.118.
173. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Kinetic model for layer-by-layer homoepitaxial growth, Abstracts to 1996 Fall Meeting of Materials Research Society, 1996, Boston, USA, December 2-6, p.376.
174. V. I. Trofimov, B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Molecular beam epitaxial growth mode transitions on vicinal surfaces, Evolution of Epitaxial Structure and Morphology, Materials Research Society Symposium Proceedings, v. 399 MRS, 1996, Pittsburgh, pp.47-52.
175. Yu. V. Gulyaev, V. G. Mokerov, A. V. Hook, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, Optical properties of the two-dimensional carriers in N-Al-GaAs/GaAs-heterostructures, Abstracts to 10-th International Conference on Thin Films, Salamanca, Spain, September 23-27 1996, pp.191-193.
176. А. В. Гук, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулировано-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ФТП, 1997, т. 31, N11, стр.1367-1374
177. Г. Б. Галиев, Р. М. Имамов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Э. М. Пашаев, В. Б. Чеглаков, Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах, ФТП, т. 31, N10, стр.1168-1170 (1997)
178. Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, В. Г. Мокеров, И. М. Щелева, Прецизионные резисторы в микросхемах на арсениде галлия, Радиотехника и электроника, 1997, N3, т. 42, стр.376-381.
179. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Исследование многослойных структур на основе слоев GaAs-InхGa1-хAs методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, Кристаллография, т. 42, N3, стр.514-523 (1997).
180. В. Г. Мокеров, А. В. Гук, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Н. Г. Яременко, Фотолюминесценция однородно- и δ-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентацией (100), (111)А, (111)В, III Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники 97”, 1-5 декабря 1997, г.Москва, тезисы докладов, стр.306.
181. J. Pozela, V. Juciene, A. Noncajunas, K. Pozela, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, V. E. Kaminskii, A. V. Hook, Photoluminescence and electron subband population in modulation doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures, J. Appl. Phys., 1997, v. 82, pp. 5564-5567.
182. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Kinetic model for molecular beam epitaxial growth on singular surface, Thin Solid Films, 1997, v. 306, pp.105-111.
183. Yu. V. Gulyaev, V. G. Mokerov, A. V. Hook, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, Optical spectroscopy of 2D electron states in modulationdoped N-AlGaAs/GaAs, Photonics and optoelectronics, 1997, v. 4, N1, pp.1-12.
184. А. В. Голиков, А. В. Демин, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, А. С. Бугаев, В. Г. Мокеров, А. П. Сеничкин, Низкотемпературная задержанная фотопроводимость в структурах GaAs с дельта-легированием оловом вицинальных граней, XXXI совещание по физике низких температур, тезисы докладов, Москва, 1998, 2-3 декабря, стр. 77-78.
185. А. М. Афанасьев, А. А. Зайцев, Р. М. Имамов, Э. М. Пашаев, М. А.Чуев, В. Г. Мокеров, Рентгенодифракционное исследование границ раздела слоев сверхрешетки AlAs-Ga1-xAlxAs, Кристаллография, 1998, т. 43, N1, стр. 139-143.
186. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, Фотолюминесцентная спектроскопия квазидвумерного электронного газа в δ-легированных слоях GaAs (100), ДАН, 1998, т. 362, N1, стр.40-43.
187. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Н. Г. Яременко, В. А. Страхов, фотолюминесценция двумерного электронного газа в метаморфных N-InAlAs/InGaAs/InAlAs-гетероструктурах на подложках GaAs (100), ДАН, 1998, т. 362, N2, стр. 194-197.
188. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, Транспортные свойства и фотолюминесценция двумерного электронного газа в псевдоморфных квантовых ямах N-AlGaAs/InGaAs/GaAs, ДАН, 1998, т. 362, N3, стр.335-338.
189. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, В. Э. Каминский, Л. Э. Великовский, Наноэлектронные СВЧ-транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом, Успехи Современной Радиоэлектроники, 1998, №8, стр. 40-61.
190. В. Г. Мокеров, Ю. Ф. Федоров, А. В. Гук, Г. Б. Галиев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ФТП, 1998, т. 32, №9, стр. 1060-1064
191. В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров, Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при МЛЭ на оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs, ФТП, 1998, т. 32, №11, стр.1320-1324
192. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Л. Э. Великовский, Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе метаморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs, выращиваемых на подложках GaAs, ДАН, 1998, т. 362, N4, стр.477-480.
193. Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, В. Г. Мокеров, И. М. Щелева, Расчет элементов защиты от электростатического разряда для микросхем на арсениде галлия, Радиотехника и электроника, т. 44, 1999, N11, стр. 1376-1383.
194. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Рентгенодифракционное исследование влияния условий роста на совершенство структуры отдельных слоев и межслойных границ в сверхрешетке InxGa1-xAsGaAs/GaAs, Кристаллография, 1998, т. 43, №5, стр. 926-930.
195. R. T. F. van Schaijk, A. de Visser, V. A. Kulbachinskii, V. G. Kytin, R. A. Lunin, V. G. Mokerov, A. S. Bugaev, A. P. Senichkin, Magnetotransport in GaAs δ-doped by Sn, Physica B Condensed Matter, 1998, v. 256-258, pp. 243-247.
196. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Технологические перспективы создания GaAs полевых транзисторов на квантовых нитях и их достижимые характеристики, Всероссийская научнотехническая конференция “Микро- и наноэлектроника-98”, тезисы докладов, стр. Р 2-20, г. Звенигород, 1998.
197. А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, В. Г. Мокеров, Применение дифракции быстрых электронов “на отражение” для определения начала образования дислокационных сеток в гетероэпитаксиальной композиции при молекулярно-лучевой эпитаксии, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника-98”, тезисы докладов, стр. Р 2-55, г. Звенигород, 1998.
198. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. Ю. Волков, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, Технологическая особенность роста и свойства Si-легированных эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках (111)А, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника-98”, тезисы докладов, стр. 01-14, г. Звенигород, 1998.
199. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, В. Э. Каминский, Ю. В. Хабаров, Фотолюминесцентная спектроскопия размерного квантования электронного газа в псевдоморфных N-InAlAs/InGaAs/InAlAs квантовых ямах на подложках GaAs для СВЧ-транзисторов, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника-98”, тезисы докладов, стр. 03-15, г. Звенигород, 1998.
200. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Л. Э. Великовский, В. Э. Каминский, Коротко-канальные (<0,25мкм) полевые транзисторы с двумерным электронным газом высокой подвижности на основе гетероструктур полупроводниковых соединений А3В5, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника-98”, тезисы докладов, стр. Л2-3, г. Звенигород, 1998.
201. V. G. Mokerov, Yu. V. Gulyaev, D. V. Amelin, A. S. Bygaev, Yu. V. Fedorov, A. V. Hoog, V. E. Kaminskii, L. E. Velikovskii, V. Kumar, R. Muralidharan, LM-HEMT and P-HEMT- technology for Ultra High Frequency Devices, Physics of Semiconductor Devices, 1998, v. 2, pp. 884-891, Narosa Publiching House, New. Delhi, India.
202. T. Srinivasan, V. G. Mokerov, R. Muralidharan, R. K. Jain, Photoreflectance spectroscopy of molecular beam epitaxy grown AlxGa1-xAs/GaAsmodulation doped heterostructures, Physics of Semiconductor Devices, 1998, v. 1, pp. 373-376, Narosa Publiching House, New. Delhi, India.
203. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Effect of Schwoebel barriers on growth mechanisms and morphology of thin film, Proceedings of the International Symposium on Trends and new Applications of Thin Films, 1998, University of Regensburg Germany, March 18-20, GM4.
204. V. G. Mokerov, Yu. A. Matveev, A. M. Temnov, M. A. Kitaev, High frequency and High speed microelectronics based on the A3B5-semiconductor compounds in the republics of the former USSR. Present state and prospects for future, International Conference of Advances Sciences and Technologies, 1998, pp.457-460, The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineering.
205. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. V. Hook, L. E. Velikovskii, D. V. Amelin, V. E. Kaminskii, Sub-quarter micrometer HEMT’s based on the N-AlGaAs/InGaAs/GaAs-pseudomophic quantum wells and N-InAlAs/InGaAs/InAlAs-metamorphic heterostructures grown on the lattice mismatched GaAs-substrates, В книге “Lattice Mismatched Thin Films”, 1998, pp.163-168, Edited by EA Fitzgerald, Massachusets, Institute of Technology.
206. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, A. G. Shumyankov, Self-consistent model for homoepitaxial growth kinetics in the presence of an island edge barrier, Abstracts to 1998 Fall Meeting of Materials Research Society, Boston, Nov. 30 — Dec. 4, C.2.3.
207. V. A. Kulbachinskii, V. G. Kytin, R. A. Lunin, M. B. Vvedenskiy, V. G. Mokerov, A. S. Bugaev, A. P. Senichkin, P. M. Koenraad, R. T. F. van Schaijk, A. de Visser, Delta-doping of GaAs by Sn, 6th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, June 22-26, 1998, pp. 293-296.
208. V. G. Mokerov, Yu. A. Matveev, A. M. Temnov, M. A. Kitaev, High frequency devices and high speed integrated circuits technology, based on the A3B5 semiconductor compounds, in the republics of the former USSR, GaAs Conference Proceedings, Amsterdam, 5-6 October 1998, pp.733-736.
209. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. Ю. Волков, Р. М. Имамов, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров, Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В, Радиотехника и электроника, 1999, т. 44, N11, стр.1360-1366.
210. В. Г. Мокеров, Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, В. П. Амелин, Высокоскоростные интегральные схемы на основе наноструктур полупроводниковых соединений А3В5, Радиотехника и электроника, 1999, т. 44, N11, стр.1285-1296.
211. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, В. Э. Каминский, Д. В. Амелин, В. Э. Великовский, Е. Н. Овчаренко, А. П. Лисицкий, В. Кумар, Субчетверть микронная технология полевых транзисторов на псевдоморфных гетероструктурах с квантовой ямой, Микроэлектроника, 1999, т. 28, N1,стр.3-15.
212. Ю. В. Адамов, В. Г. Мокеров, И. М. Щелева, Исследование нестабильности задержки сигналов и логических элементов микросхем, Радиотехника и электроника, 1999, т. 44, №11, стр.1384-1387.
213. В. А. Вдовенков, З. Я. Косаковская, В. В. Колесов, В. Г. Мокеров, Особенности переноса электрического заряда в углеродных нанотрубных структурах, ДАН, 1999, т. 365, №5, стр. 611-613.
214. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров, Р. М. Имамов, Свойства и структура пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А, (111)В методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ЖТФ, 1999, т. 69, вып. 7, стр. 68-72
215. Г. Б. Галиев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Фотолюминесцентные исследования амфотерного поведения кремния в арсениде галлия, ДАН, 1999, т. 367, №5, стр. 613-616.
216. В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, В. Г. Мокеров, А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Л. Карузский, А. В. Пересторонин, R.T.F. van Schailk, A. de Visser, Транспортные и оптические свойства δ-легированных оловом GaAs-структур, ФТП, 1999, т. 33, вып. 7, стр. 839-846
217. В. И. Трофимов, В. Г. Мокеров, Модель кинетики слоевого эпитаксиального роста в присутствии барьеров Швебеля, ДАН, 1999, т. 367, №6, стр. 749-752.
218. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. К. Неволин, В. В. Сарайкин, Ю. В. Слепнев, Г. И. Шагимуратов, Исследование перераспределения кремния в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В, Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников “Полупроводники — 99”, Новосибирск, 25 – 29 октября 1999г., стр. 159.
219. V. A. Kulbachinskii, V. G. Kytin, R. A. Lunin, A. V. Golikov, V. G. Mokerov, A. P. Senichkin, R. T. F. van Schaijk, A. de Visser, P. M. Koenraad, Sn δ-doping in GaAs, Semicond. Sci. Technol., 1999, v. 14, pp. 1034-1041.
220. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. V. Hook, High density 2DEG in AIIIBV-semiconductor heterostructures and high electron mobility transistors on their basis, ФТП, 1999, т. 33, в.9, стр.1064-1065.
221. V. A. Kulbachinskii, V. G. Kytin, R. A. Lunin, A. V. Golikov, A. V. Demin, V. G. Mokerov, Observation of negative persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn, 7th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, June 14-18, 1999, pp. 299-303.
222. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Homoepitaxial growth kinetics in the presence of a Schwoebel barrier, Abstracts to E-MRS 1999 Spring Meeting, Strasbourg, France, C-1/P29, June 1-4, 1999.
223. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Epitaxial growth mode transitions induced by a Schwoebel effect, 1999 Materials Research Society Fall Meeting Abstracts, p.235.
224. В. А. Гергель, В. Г. Мокеров, М. В. Тимофеев, Ю. В. Федоров, Ультраквазигидродина-мический электронный транспорт в субмикронных полевых МДП-транзисторах и гетеротранзисторах, ФТП, 2000, т. 34, №2, стр.239-242
225. В. А. Гергель, В. Г. Мокеров, М. В. Тимофеев, Квантовомеханические особенности эффекта поля в гетеротранзисторах с модуляционным и δ-легированием, ФТП, 2000, т. 34, N2, стр.234-238
226. Ю. В. Адамов, Н. В. Корнеев, В. Г. Мокеров, В. К. Неволин, Формирование и электрические свойства планарных 2D-наноразмерных структур, Микросистемная техника, 2000, №1, стр.13-16.
227. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, Х. С. Пак, А. В. Данилочкин, Влияние условий роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на спектры фотолюминесценции гетероструктур GaAs/lnAs/GaAs с квантовыми точками вблизи порога их возникновения, ДАН, 2000, т. 374, вып. 4, стр. 478-480.
228. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Х. С. Пак, Ю. В. Хабаров, А. В. Данилочкин, Оптические и электрические свойства модулировано-легированных сверхрешеток InAs/GaAs при толщинах слоев InAs ниже и вблизи порога формирования квантовых точек, ДАН, 2000, т. 374, вып. 5, стр. 615-619.
229. А. В. Гук, Л. Э. Великовский, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Влияние электрического поля на спектры фотолюминесценции двумерного электронного газа высокой плотности в гетероструктурах N-AlGaAs/AlGaAs, ДАН, 2000, т. 374, №1, стр.31-34.
230. V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. G. Kytin, A. V. Golikov, V. A. Rogozin, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. V. Hook, Optical and transport properties of modulation doped InAs/GaAs superlattices, Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka, Japan, September 17-22, pp. 805-807.
231. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Л. Э. Великовский, М. Ю. Щербакова, Новый гетероструктурный транзистор на квантовых точках, ДАН, 2000, т. 375, вып. 6, стр. 754-757.
232. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Homoepitaxial growth kinetics in the presence of a Schwoebel barrier, Computational Materials Science, 2000, v. 17, pp. 510-514.
233. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, В. К. Неволин, В. В. Сарайкин, Ю. В. Слепнев, Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В, ФТП, 2000, т. 34, вып. 7, стр. 769-773.
234. Ю. В. Адамов, В. Г. Мокеров, И. М. Щелева, Размерные эффекты и интегральных микросхемах на арсениде галлия, Микроэлектроника, 2000, т. 29, №1, стр.3-12.
235. J. Pozela, K. Pozela, A. Namajunas, V. Juciene, V. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. Hook, Decrease of channel conductivity with increasing sheet electron concentration in modulation-doped heterostructures, Journal of Applied Physics, 2000, v. 88, 32, pp.1056-1060.
236. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, В. Ю. Волков, Г. И. Шагимуратов, Ю. В. Хабаров, А. А. Ломов, Р. М. Имамов, Исследование структурных, электрических и оптических свойств эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В методом молекулярно-лучевой эпитаксии, Поверхность, 2000, №3, стр. 66-70.
237. В. И. Трофимов, В. Г. Мокеров, Кинетическая модель гетероэпитаксиального роста в присутствии барьеров Швебеля, ДАН, 2000, т. 375, №4, стр. 365-368.
238. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. V. Hook, L. E. Velikoski, Molecular beam epitaxy of modulation doped N-AlGaAs/(InAs/GaAs)/GaAs superlattices at thikness of InAs layers below and near threshold of nucleation quantum dots for high frequency applications, Gallium Arsenide applications symposium GaAs-2000, 2-6 Оctober 2000, Paris.
239. В. А. Гергель, В. Г. Мокеров, Об увеличении быстродействия полевых транзисторов за счет профилирования канала, ДАН, 2000, т. 375, №5, стр. 609-610.
240. А.А. Ломов, Р.М. Имамов, А.В. Гук, Ю.В. Федоров, Ю. В. Хабаров, В.Г.Мокеров, Влияние параметров структуры отдельных слоев на фотолюминесцентные свойства InxGa1-xAs GaAs, Микроэлектроника, 2000, №6, стр.410-416.
241. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Growth mode transitions and scaling behavior at successive stages of molecular beam epitaxy, Thin Solid Films, 2000, v. 380, №1-2, pp. 67-70.
242. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Л. Э. Велиховский, Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p–n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)А методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ФТП, 2001, т. 35, вып. 4, стр. 427-430.
243. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Э. Р. Ляпин, В. В. Сарайкин, Ю. В. Хабаров, Исследование электрофизических и оптических свойств δ-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)А GaAs, ФТП, 2001, т. 35, №4, стр.421-426
244. Hee Seok Park, V. G. Mokerov, High electric field transport in modulation-doped InAs self-assembled quantum dots for high-frequency applications, Applied Physics Letters, 2001, v. 79, №3, pp. 418-420.
245. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Хабаров, Влияние угла разориентации на спектры фотолюминесценции дельта(δ)-легированных кремнием слоев арсенида галлия (111)А, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ДАН, 2001, т. 376, №6, стр. 749-752.
246. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, Ю. В. Слепнев, Г. И. Шагимуратов, Р. М. Имамов, Э. М. Пашаев, Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В, ЖТФ, 2001, И, вып. 4, стр. 47-52.
247. В. А. Гергель, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, М. В. Тимофеев, Структурные особенности лавинного умножения в полевых гетеротранзисторах, ДАН, 2001, т. 376, №5, стр. 621-623.
248. Л. Э. Великовский, Д. М. Красовицкий, В. Г. Мокеров, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, М. В. Степанов, В. П. Чалый, С. П. Яковлев, Н. Н. Базлов, Технология полевых транзисторов на GaN с использованием процессов реактивного ионного травления, Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроники 2001», Звенигород, 1-5 октября 2001г., т.1, Л2-1.
249. В. Г. Мокеров, А. А. Аракелов, Л. Э. Великовский, Реактивное ионное травление сквозных отверстий в технологии монолитных СВЧ ИС на GaAs и гетероструктурах на его основе, Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроники 2001», Звенигород, 1-5 октября 2001г., т.1, О1-12.
250. А. С. Бугаев, А. П. Сеничкин, В. Г. Мокеров, Гетеропереходный биполярный транзистор N-Ga0,7Al0,3As/p-GaAs/n-GaAs на вицинальной поверхности (100) GaAs, Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроники 2001», Звенигород, 1-5 октября 2001г., т. 1, О2-1.
251. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Л. Э. Великовский, М. Ю. Щербакова, Новый электронный прибор на квантовых точках, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, О2-7.
252. А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, В. Г. Мокеров, В. А. Кульбачинский, Квантовые нити с высокой анизотропией электропроводности в GaAs, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, О3-12.
253. В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Д. Л. Гнатюк, Технология суб-четверть-микронного Т-образного затвора для гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, Р1-4.
254. В. Г. Гергель, В. Г. Мокеров, Сверхскорость электронного потока в полевых транзисторах с латеральными нанонеоднородностями в канале, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, Р1-5.
255. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Эпитаксиальный рост планарных p-n- переходов на подложках GaAs(111)А с использованием амфотерных свойств примесных атомов кремния, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, Р2-8.
256. Х. С. Пак, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Данилочкин, Оптические свойства модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs, Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника – 2001”. Звенигород, 1-5 октября 2001, Р2-42.
257. Т. Г. Колесникова, А. П. Коровин, В. Г. Мокеров, Ю. В. Погорельский, С. Н. Якунин, Глубокие центры захвата в структурах на основе GaN, Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроники 2001», Звенигород, 1-5 октября 2001г., т.2, Р2-50.
258. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, L. E. Velikoski, New solid state transistor based on the quantum dot system, Proceeding of “GaAs-2001” — The European Gallium Arsenide and related III-V- Compounds Application Symposium, London, 24th-25th September 2001, pp.179-182.
259. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Kinetic model for layer epitaxial growth in the presence of an Ehrlich – Schwoebel barrier, Сборник «Тонкие пленки в электронике», Харьков, ННЦ ХФТИ, стр. 134-139, 2001.
260. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, L. E. Velikoski, M. Yu. Scherbakova, New quantum dot transistor, Nanotechnology, 2001, v. 12, pp. 552-555.
261. G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, I. Velihovskii, V. Mokerov, Molecular beam epitaxy of a planar p-n junction on a (111)A GaAs substrate using the amphoteric property of silicon dopant, Semicond. Sci. Technol., 2002, v. 17, pp. 120-123.
262. Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, А. В. Деркач, И. С. Васильевский, Анизотропия проводимости в δ-легированных кремнием слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] подложках (111)А GaAs, ДАН, 2002, т. 384, №5, стр. 611-614.
263. В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs/GaAs/AlGaAs, ФТП, 2002, т. 36, в.6, стр.713-717.
264. V. A. Kulbachinskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, A. V. Derkach, I. S. Vasilevskii, Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures, International conference on superlattices, nano-structures and nano-devices, 22-26 July 2002 Toulouse – France, ICSNN – 2002, p.I-PO62.
265. V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, N. B. Brandt, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, Peculiarities of the electron transport in very short period InAs/GaAs superlattices near the quantum dot formation, International conference on superlattices, nano-structures and nano-devices, 22-26 July 2002 Toulouse – France, ICSNN – 2002, p. I-P126.
266. В. А. Гергель, Е. Ю. Кулькова, В. Г. Мокеров, М. В. Тимофеев, Г. Ю. Хренов, Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах, ФТП, 2002, т. 36, в.4, стр.496-498.
267. Л. П, Авакянц, П. Ю. Боков, Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. А, Кульбачинский, В. Г. Мокеров, А. В. Червяков, Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения, Оптика испектроскопия, 2002, т. 93, №6, стр. 929-934.
268. Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский, А. В. Голиков, В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Электронный транспорт в слоях InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек, материалы Международной конференции “Физика электронных материалов”, Калуга, 1-4 октября 2002, стр. 170.
269. V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, Yu. V. Khabarov, A. de Visser, Optical and transport properties of short-period InAs/GaAs superlattices near quantum dot formation, Semicond. Sci. Technol., 2002, v. 17, pp. 947-951.
270. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Epitaxial growth kinetics in the presence of an Ehrlich – Schwoebel barrier: comparative analysis of different models, Materials Science and Engineering B, 2002, v. 89, pp. 420-425.
271. Э. М. Пашаев, С. Н. Якунин, А. А. Зайцев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Р. М. Имамов, Характеризация селективно-легированных многослойных гетероструктур на основе GaAs с квантовыми точками InAs, Микроэлектроника, 2002, т. 31, №5, стр. 367-375.
272. В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs, материалы 8 Российской конференции “Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V”, Томск, 1-4 октября 2002, стр. 134-136.
273. В. А. Гергель, В. Г. Мокеров, А. П. Зеленый, М. В. Тимофеев, Моделирование эффекта роста крутизны в GaAs полевых транзисторах с секционированным каналом, ДАН, 2001, т. 376, №5, стр. 612-613.
274. В. Г. Мокеров, Л. Э. Великовский, М. Б. Введенский, З. Т. Канаметова, П. В. Сазонов, Д. С. Силин, Ю. Грауль, О. К. Семчинова, Полевой транзистор на гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом, Тезисы докладов 2-ой Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Санкт-Петербург, 3-4 февраля 2003г., стр. 108-109.
275. В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, В. А. Рогозин, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, Е. Нарюми, К. Киндо, А. де Виссер, Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек, ФТП, 2003, т. 37, вып. 1, стр. 70-76.
276. V. I. Trofimov, V. G. Mokerov, Rate equations model for layer epitaxial growth kinetics, Thin Solid Films, 2003, v. 428, pp. 66 -71.
277. V. A. Kulbachinskiy, R. A. Lunin, I. S. Vasil’evskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, V. E. Kaminskii, Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central AlAs barrier, Nanoscience, 2003, v. 2, No. 6, pp. 1-9.
278. А. М. Афанасьев, Г. Б. Галиев, Р. М. Имамов, Е. А. Климов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, М. А. Чуев, Структурная характеризация двойных квантовых ям AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs с тонкими разделяющими AlAs-слоями с помощью рентгеновской дифракции, Микроэлектроника, 2003, т. 32, №3, стр. 202 — 209.
279. В. Г. Мокеров, Ю. К. Пожела, Ю. В. Федоров, Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях, ФТП, 2003, т. 37, вып. 10, стр. 1248-1252
280. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, В. А. Кульбачинский, Исследования электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения, ФТП, 2003, т. 37, в. 1, стр. 77-82.
281. Г. Б. Галиев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, В. А. Страхов, Г. Н. Шкердин, Н. Г. Яременко, Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем, ФТП, 2003, т. 37, в. 5, стр. 599-603.
282. V. G. Mokerov, L. E. Velikovskii, V. E. Kaminskii, P. V. Sazanov, J. Graul, O. Semchinova, AlGaN/GaN-heterojunction FET with inverted 2DEG Channel, 11th European Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium ICM, Munich, Germany “GaAs 2003” (2003), pp. 17-19.
283. V. A. Kulbachinskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, R. A. Lunin, V. E. Kaminskii, I. S. Vasil’evskii, Peculiarities of Electron Transport in the Coupled AlGaAs/GaAs Quantum Wells with Thin Central AlAs Barrier, Nanoscience, 2003, v. 2, №6, p.p.565-573.
284. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. S. Bugaev, InAlAs/InGaAs isomorphic HEMT’s with cut off frequency f>100 GGz for mm-wave applications, International Conference Micro- and nanoelectronics-2003, pр.2-93, October 6-10 2003. Moscow – Zvenigorod, Russia.
285. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. S. Bugaev, DD-PHEMT structures and technology on GaAs for power amplification in millimeter wave range, International Conference Micro- and nanoelectronics-2003, pр.2-92, October 6-10 2003. Moscow – Zvenigorod, Russia.
286. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. S. Bugaev, D. I. Gnatyuk, B. G. Nalbandov, E. N. Ovcharenko, Design of P-HEMT-MMIC chipset for X-based active phased array radar, International Conference Microand nanoelectronics-2003, p2-98, October 6-10 2003. Moscow – Zvenigorod, Russia.
287. V. G. Mokerov, L. E. Velikovskii, M. B. Vvedenskii, Ultra high frequency AlGaN/GaN- transistor with inverted 2DEG Channel, International Conference Micro- and nanoelectronics-2003, Q3-62, October 6-10 2003. Moscow – Zvenigorod, Russia.
288. V. G. Mokerov, D. I. Gnatyuk, B. G. Nalbandov, E. N. Ovcharenko, 10GHz 1:2 Switch MMIC for the communication and radar applications, International Conference Micro- and nanoelectronics-2003, Q3-65, October 6-10 2003. Moscow – Zvenigorod, Russia.
289. Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием, ФТП, 2003, т. 37, в. 6, стр. 711-716.
290. V. A. Kulbachinskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, A. V. Derkach, I. S. Vasil’evskii, Peculiarities of conductivity in structures delta doper by Si on vicinal (111)A GaAs substrate, Physica E, 2003, v. 17, pp. 172-173.
291. G. B. Galiev, V. E. Kaminskii, V. G. Mokerov, I. S. Vasil’evskii, V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, Magnetotransport in doped heterostructures with coupled quantum wells, 12th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2004, S. Petersburg, Russia, June 21-25.
292. В. Г. Мокеров, Гетероструктурная СВЧ электроника – новые перспективы наноэлектроники, Микросистемная техника, 2004, №10, стр. 13-15.
293. И. А. Субботин, Р. М. Имамов, В. Г. Мокеров, В. В. Лундин, Э. М. Пашаев, Рентгеновские исследования сложных гетероструктур GaN/GaAlN на сапфире, XI Национальная конференция по росту кристаллов, Тезисы докладов, Москва, 14-17 декабря 2004 года, стр.383.
294. И. А. Субботин, А. А. Зайцев, И. А. Сильвестрова, Р. М. Имамов, В. Г. Мокеров, В. В. Лундин, Э. М. Пашаев, Рентгеновские исследования сложных гетероструктур GaN/GaAlN на сапфире, предназначенных для создания СВЧ-транзисторов, Материалы Международной научно-практической конференции INTERMATIC-2004, 7-10 сентября 2004, Москва, МИРЭА, стр. 151-155.
295. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Г. В. Ганин, Р. М. Имамов, Е. А. Климов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, М. А. Чуев, Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n-AlGaAs/GaAs/n-Al-GaAs с тонким разделяющим AlAs слоем внутри GaAs, Микроэлектроника, 2005, т. 34, №1, стр. 52-62.
296. Р. М. Имамов, В. Г. Мокеров, Э. М. Пашаев, И. А. Субботин, Ю. В. Федоров, Исследование структурных свойств гетеросистем In-AlxGa1-xAs/InуAl1-уAs на подложках InP, Кристаллография, 2005, т. 50, №2, стр.356-362.
297. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский, Транспортные и оптические свойства мелких псевдоморфных квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs с двусторонним дельта-легированием: влияние тонкого центрального барьера AlAs, Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники 2005», Москва, 18-23 сентября 2005г. (Звенигород), стр. 244, Вт II-44с.
298. А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, В. Г. Мокеров, Увеличение дрейфовой скорости насыщения электронов в дельта-легированных структурах, состоящих из проводящих квантовых нитей, Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники 2005», Москва, 18-23 сентября 2005г. (Звенигород), стр.244, Вт II-56с.
299. V. G. Mokerov, Giant Increase of Electron Maximum Drift Velocity in a Channel of Heterostructure Field-Effect Transistor, 14th Intern. Conf. HCIS-14, July 24-29, 2005, Chicago, Illinois. 300. V.E. Kaminskii, G.B. Galiev, V.G. Mokerov, I.S. Vasil’evskii, R.A. Lunin, V.A. Kul’bachinskii, Magnetoresistance of coupled quantum wells in quantizing magnetic field, ФТИАН, Zvenigorod, October 3-7, International Conference on Micro- and Nanoelectronics 2005, p. O2-09.
300. V. E. Kaminskii, G.B. Galiev, V.G. Mokerov, I.S. Vasil’evskii, R.A. Lunin, V.A. Kul’bachinskii, Magnetoresistance of coupled quantum wells in quantizing magnetic field, ФТИАН, Zvenigorod, October 3-7, International Conference on Micro- and Nanoelectronics 2005, p. O2-09.
301. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, Электрофизические свойства модулированно- и дельта-легированных P-HEMT транзисторных структур на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs, Микроэлектроника, 2006, т. 35, вып. 2, стр. 67.
302. Ю. К. Пожела, В. Г. Мокеров, Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора, ФТП, 2006, т. 40, вып. 3, стр. 362-366.
303. В. Г. Мокеров, Ю. К. Пожела, К. Ю. Пожела, В. Юцене, Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов, ФТП, 2006, т. 40, вып.3, стр. 367-371.
304. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. А. Черечукин, В. Г. Мокеров, Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в РНЕМТ-структурах, ФТП, 2006, т. 40, вып. 12, стр. 1479-1483.
305. И.С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный транспорт, 34 Совещание по ФНТ, 26-30 сент. 2006, Ростов-на-Дону, п. Лоо, Труды, т. 2, стр. 23-24.
306. V. G. Mokerov, Peculiarity of the high field transport in the nanoscaled device channels and the fundamental limitations on the reduction of the gate length and on the increase of the operation frequencies in the nanoscaled HEMT’s, 3rd Russian – French Workshop “Nanosciences and Nanotechnologies” June 2006, St. Petersburg, Russia, p. 31.
307. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, А. А. Черечукин, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, Э. М. Пашаев, Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства РНЕМТ-структур, ЖТФ, 2007, т. 77, вып. 4, стр. 50-55.
308. И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах, ЖЭТФ, 2007, т. 132, вып. 1(7), стр. 197-199.
309. V. A. Kulbachinskii, I. S. Vasil’evskii, R. A. Lunin, G Galistu, A. de Visser, G. B. Galiev, S. S. Shirokov, V. G. Mokerov, Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier, Semicond. Sci. Technol., 2007, v. 22, pp. 222-228.
310. В. Г. Мокеров, В. Я. Гюнтер, С. Н. Аржанов, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Л. И. Бабак, А. А. Баров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 17-я Международная Крымская конференция “СВЧ – техника и телекоммуникационные технологии” материалы конференции 10-14 сентября 2007 г.
311. I. S. Vasil’evskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, G Galistu, A. de Visser, Influence of thin heterolayer insertion on the electron transport properties of GaAs/InGaAs/GaAs shallow quantum wells, 15th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, Novosibirsk, Russia, June 25 – 29.
312. V. A. Kulbachinskii, I. S. Vasil’evskii, R. A. Lunin, G. B. Galiev, E. N. Enoushkina, V. G. Mokerov, Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum wells, Revista Mexicana de Fisica, 2007, v. 53 (7), pp. 66-69.
313. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, Исследование электронных транспортных свойств гетероструктурных квантовых ям InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As на подложках InP при изменении состава InxGa1-xAs, Тезисы докладов, VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург 2007, 30 сентября — 5 октября, стр. 173.
314. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, С. С. Широков, Электрофизические свойства двухсторонне легированных НЕМТ структур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs при изменении уровня легирования, Тезисы докладов, VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург 2007, 30 сентября — 5 октября, стр. 178.
315. Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, В. А. Страхов, Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111)А и (111)В, ДАН, 2008, т. 419, №4, стр. 483-487.
316. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, С. С. Широков, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных РНЕМТ гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs, ФТП, 2008, т. 42, вып. 9, стр. 1102-1109.
317. I. S. Vasil’evskii, V. A. Kulbachinskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, S. Tarucha, A. Oiwa, Low temperature electron magnetotransport in InxGa1−xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density, 25th International Conference on Low Temperature Physics, Amsterdam, August 2008, p. 267.
318. В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, Частотные характеристики AlGaN/GaN- НЕМТ- транзисторов с различной длиной и шириной затворов, Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, 18–20 июня 2008 года, г. Санкт-Петербург, стр. 148-149.
319. В. Г. Мокеров, Л. И. Бабак, Ю. В. Федоров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, А. С. Бугаев, А. Л. Кузнецов, Д. Л. Гнатюк, Монолитные широкополосные малошумящие усилители Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 18-я Международная Крымская конференция “СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии”, материалы конференции, 8-12 сентября 2008г., т. 2, стр. 63-64.
320. В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, Электрофизические и структурные свойства квантовых ям InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/InP с различным содержанием InAs в канале, XIII Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2008, сб. тезисов, стр. 381.
321. В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Е. Н. Овчаренко, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, AlGaN/GaN-СВЧ НЕМТ-транзисторы с пробивным напряжением выше 100В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100ГГц, ФТП, 2009, т. 43, вып. 4, стр. 561-567.
322. В. Г. Мокеров, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич, Дрейфовая скорость в каналах полевых гетеротранзисторов в сильных электрических полях, ФТП, 2009, т. 43, вып. 4, стр. 478-482
323. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, Е. А. Климов, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, Электрофизические и структурные свойства квантовых ям InyGa1-yAs/InxAl1-xAs/InP с различным содержанием InAs, Кристаллография, 2009, №1, стр. 7-12.